Учёные разработали новый процесс синтеза для получения устойчивого к ржавчине покрытия с дополнительными свойствами, идеально подходящими для создания более быстрой и долговечной электроники. Группа под руководством исследователей из Университета штата Пенсильвания опубликовала свою работу в журнале Nature Communications.
Двумерные (2D) полупроводниковые материалы, которые управляют потоком электричества в электронных устройствах, особенно проблематичны, поскольку любая коррозия может сделать этот атомно-тонкий материал бесполезным.
Традиционные методы защиты этих материалов от ржавчины включают покрытия на основе оксидов, но эти процессы часто используют воду, которая, по иронии судьбы, может ускорить то самое окисление, которое они призваны предотвратить.
Команда под руководством профессора Джошуа Робинсона из Университета штата Пенсильвания разработала новый метод синтеза, который использует аморфный нитрид бора (a-BN) в качестве покрытия. Этот материал известен своей высокой термической стабильностью и электроизоляционными свойствами, что делает его идеальным для использования в полупроводниках.